| Profil détaillé |
ENSEIGNEMENT :
Le candidat recruté enseignera en physique, notamment en physique des
composants ainsi qu'en sciences de l'ingénieur. Il interviendra
en particulier en Travaux Pratiques et dans les enseignements par projet.
Il devra participer à l'enseignement de l'option de 3ème année
"Dispositifs et Microsystèmes " commune à l'ENSERG et à l'ENSPG.
RECHERCHE :
Le candidat recruté développera des recherches de base sur des dispositifs
quantiques semiconducteurs (silicium) et métalliques en vue
d'applications pour les futurs circuits à très haute densité d'intégration. Ces
recherches porteront notamment sur les dispositifs à
blocage de Coulomb. Elles seront effectuées dans le cadre des projets du CPMA
(Centre de Projets en Microélectronique Avancée) et
s'appuieront sur la plateforme technologique PLATO du CEA-LETI en relation avec
les moyens de nanofabrication et de caractérisation
existant au CRTBT, à l'IMEP et au CIME (Centre Interuniversitaire de
Microélectronique). Ce projet reposera sur les compétences
complémentaire du CRTBT dans le domaine de la physique mésoscopique et de
l'IMEP dans le domaine des composants
microélectroniques, ces deux laboratoires souhaitant associer leurs efforts en
vue du développement ultérieur de composants pour la
nanoélectronique.
Laboratoire d'accueil :
Centre de Recherche sur les Très Basses Températures (CRTBT), CNRS,
en collaboration avec l'Institut de Microélectronique et Photonique (IMEP),
INPG, et le Centre de Projet en Microélectronique Avancée (CPMA), INPG.
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